English
Поиск по сайту
Новости AKTAKOM(419)
Новости Anritsu(96)
Новости Fluke(134)
Новости Keithley(71)
Новости Keysight Technologies(505)
Новости Metrel(6)
Новости National Instruments(240)
Новости NIST(0)
Новости Pendulum(20)
Новости Rigol(56)
Новости Rohde & Schwarz(379)
Новости Tektronix(177)
Новости Texas Instruments(17)
Новости Yokogawa(70)
Новости Росстандарта(89)
AKTAKOM
Anritsu
Fluke
Keithley Instruments
Keysight Technologies
METREL
National Instruments
NIST
RIGOL
Rohde & Schwarz
Spectracom
Tektronix
Texas Instruments
Yokogawa
Росстандарт
Авторизация
Логин:
Пароль:
Забыли свой пароль?
Зарегистрироваться
Реклама на сайте
АКТАКОМ - Измерительные приборы, виртуальные приборы, паяльное оборудование, промышленная мебель

Питер Дж. Халберт (Peter J. Hulbert)

Питер Дж. Халберт (Peter J. Hulbert) Питер Дж. Халберт работает инженером-разработчиком изделий и приложений компании Keithley Instruments, Inc. со штаб-квартирой в г. Кливленд, штат Огайо. Продукция Keithley Instruments является частью обширной линейки контрольно-измерительного оборудования компании Tektronix. Питер Дж. Халберт имеет степень бакалавра физики Вашингтонского государственного университета. Его работа в качестве специалиста по измерительным приборам сопровождается крупными исследованиями электромагнитного спектра – от ионизирующих излучений до инфракрасной и более низкочастотных областей.

Книги этого автора



Статьи этого автора


Принципы импульсного тестирования новых типов энергонезависимой памяти

Номер журнала: КИПиС 2014 № 1

Флэш-память на транзисторах с плавающим затвором впервые получила широкое распространение в 1990-х гг. и до недавнего времени вполне отвечала требованиям, предъявляемым к энергонезависимой памяти в таких устройствах, как цифровые камеры, MP3 плееры и смартфоны. Тем не менее, определенные ограничения, связанные с ее скоростью, износом, потребляемой мощностью и объемом, заставляли исследователей обращаться к новым технологиям энергонезависимой памяти, таким как память с фазовым переходом (PCM/PRAM), флэш-память с ловушками заряда (CTF/ SONOS), резистивная память (ReRAM), сегнетоэлектрическая память (FeRAM), магниторезистивная память (MRAM) и т.д.

 

Свежий номер
№ 4 Август 2017
КИПиС 2017 № 4
Тема номера:
Современная измерительная техника
Подписаться на журнал
WEB-приложение для подписчиков журнала
События из истории измерений
22.08.1834
День рождения