EN
Поиск по сайту
Новости AKTAKOM(574)
Новости Anritsu(121)
Новости Fluke(134)
Новости Keithley(78)
Новости Keysight Technologies(666)
Новости Metrel(24)
Новости National Instruments(265)
Новости Pendulum(20)
Новости Rigol(96)
Новости Rohde & Schwarz(558)
Новости Tektronix(225)
Новости Texas Instruments(23)
Новости Yokogawa(132)
Новости Росстандарта(154)
АКТАКОМ
Anritsu
FLUKE
Keithley Instruments
Keysight Technologies
METREL
NI
RIGOL
Rohde & Schwarz
Spectracom
Tektronix
Texas Instruments
Yokogawa
Росстандарт
Авторизация
Логин:
Пароль:
Забыли свой пароль?
Зарегистрироваться
Информация
АКТАКОМ - Измерительные приборы, виртуальные приборы, паяльное оборудование, промышленная мебель

Питер Дж. Халберт (Peter J. Hulbert)

Питер Дж. Халберт (Peter J. Hulbert) Питер Дж. Халберт работает инженером-разработчиком изделий и приложений компании Keithley Instruments, Inc. со штаб-квартирой в г. Кливленд, штат Огайо. Продукция Keithley Instruments является частью обширной линейки контрольно-измерительного оборудования компании Tektronix. Питер Дж. Халберт имеет степень бакалавра физики Вашингтонского государственного университета. Его работа в качестве специалиста по измерительным приборам сопровождается крупными исследованиями электромагнитного спектра – от ионизирующих излучений до инфракрасной и более низкочастотных областей.

Статьи этого автора


Принципы импульсного тестирования новых типов энергонезависимой памяти

Номер журнала: КИПиС 2014 № 1

Флэш-память на транзисторах с плавающим затвором впервые получила широкое распространение в 1990-х гг. и до недавнего времени вполне отвечала требованиям, предъявляемым к энергонезависимой памяти в таких устройствах, как цифровые камеры, MP3 плееры и смартфоны. Тем не менее, определенные ограничения, связанные с ее скоростью, износом, потребляемой мощностью и объемом, заставляли исследователей обращаться к новым технологиям энергонезависимой памяти, таким как память с фазовым переходом (PCM/PRAM), флэш-память с ловушками заряда (CTF/ SONOS), резистивная память (ReRAM), сегнетоэлектрическая память (FeRAM), магниторезистивная память (MRAM) и т.д.

 

Читайте бесплатно
№ 4 Декабрь 2021
КИПиС 2021 № 4
Тема номера:
Современная измерительная техника
События из истории измерений
10.10.1908
День рождения ученого, давшего объяснение эффекту "свечения" электронов
Франк Илья Михайлович
Мы используем файлы 'cookie', чтобы обеспечить максимальное удобство пользователям.