![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
Поиск по сайту
Авторизация
Подписка на рассылку
|
Fairchild Semiconductor: MOSFET-транзисторы PowerTrench® позволяют повысить эффективность и снизить электромагнитные излучения![]() 04.07.2009 Применение n-канальных MOSFET-транзисторов PT7 позволяет улучшить эффективность, уменьшить колебательность переходных процессов по нарастающему фронту в узле коммутации и, самое главное, добиться соответствия требованиям к энергоэффективности! Мощные MOSFET-транзисторы выпускаются по оригинальной технологии PowerTrench, которая обеспечивает сочетание малых значений заряда затвора и сопротивления RDS(ON) и высокой частоты коммутации. Транзисторы также отличаются превосходным значением обратного восстановления встроенного диода и размещением в ультракомпактном корпусе Power56. |
Свежий номер
События из истории измерений
|
|
|
© "Контрольно-измерительные приборы и системы" ("КИПиС"), 1996-2021. Все права защищены. Политика конфиденциальности | |