|
EN |
Поиск по сайту
Авторизация
Подписка на новости
|
Fairchild Semiconductor: FCP22N60N - первый представитель новой серии высоковольтных MOSFET‑транзисторов SupreMOS™09.09.2009 FCP22N60N обладает малыми RDS(ON) (165 мОм) и зарядом затвора (14.5 нКл), что ориентирует его на применение в источниках питания. MOSFET-транзистор доступен в корпусе TO220 и изолированном корпусе TO220F. Максимальная скорость нарастания напряжения составляет 100 В/нс для MOSFET-транзистора и 20 В/нс для внутреннего диода. Ключевые области применения транзистора: каскады коррекции коэффициента мощности (PFC) и резонансные преобразователи. |
Читайте бесплатно
События из истории измерений
09.12.1883
Родился советский ученый, механик, специалист в области механики и гидродинамики
|