Vishay: SiS426 - 20-вольтовый N-канальный силовой MOSFET-транзистор TrenchFET 3-го поколения

Компания Vishay представила первый транзистор, который выполнен по технологии TurboFETTM и использует новую структуру стока со сбалансированным зарядом, позволяющая снизить заряд затвора на 45% и, как следствие, снизить потери коммутации и повысить частоту преобразования.

Транзистор SiS426DN доступен в корпусе PowerPAK® 1212-8 (3 x 3 мм) и обладает самым низким в промышленности произведением сопротивления открытого канала на заряд затвора среди транзисторов на аналогичное напряжение. Данное произведение является основным параметром для оценки качества MOSFET-транзисторов, применяющихся в DC/DC-преобразователях. У SiS426DN этот параметр равен 76.6 мОм х нКл при напряжении 4.5 В и 117.60 мОм х нКл при напряжении 10 В, при этом, типовое значение заряда затвора равно 13.2 нКл при 4.5 В и 28 нКл при 10 В.

По сравнению с ближайшими аналогами, SiS426DN обладает более низкими зарядом затвора (на 45% при 4.5 В и 36% при 10 В) и показателем качества (на 50%). Более низкое значение заряда затвора снижает потери коммутации на любых частотах и создает предпосылки для повышения частоты преобразования, что в свою очередь позволяет использовать более компактные пассивные компоненты в DC/DC-преобразователях.

www.ebv.com