Решение проблемы высокой емкости соединений измерительной схемы при тестировании маломощных МОП-транзистров

Исследователи, ученые и инженеры сталкиваются с общими сложностями при внесении в отчёты точных электрических параметров таких полупроводниковых приборов, как специальные полевые нанотранзисторы. Более того, иногда им приходится доказывать, что они действительно способны контролировать эти параметры простым и воспроизводимым способом. Данная статья предлагает «Решение проблемы высокой ёмкости соединений измерительной схемы при тестировании маломощных МОП-транзисторов».
Автор(ы): Андреа Винчи (Andrea Vinci)
Номер журнала: КИПиС 2020 № 4
Читать в PDF: Читать