|
EN |
Поиск по сайту
Авторизация
Подписка на новости
|
Экспериментальная оценка характеристик быстродействия полупроводниковых элементов с использованием осциллографов серии R&S RTO
В статье рассматривается вопрос об измерении характеристик быстродействия полупроводниковых элементов. Анализируются соответствующие методы. Показана необходимость использования высококачественного оборудования при проведении измерений осциллографическим методом. Рассмотрены принципы и схемы измерений времени транзита носителей заряда для диодов, приведены примеры измерений с использованием оборудования фирмы Rohde&Schwartz.
Автор(ы): Лемешко Н.В., Струнин П.А. Номер журнала: КИПиС 2015 № 3 Материалы по теме:
Новости КИПиС
Новости компаний
Статьи КИПиС
Энциклопедия измерений
При использовании материалов журнала «Контрольно-измерительные приборы и системы» ссылка на сайт www.kipis.ru обязательна. Для просмотра файлов PDF может понадобиться Adobe Reader. Получить Adobe Reader бесплатно можно здесь. |
Читайте бесплатно
События из истории измерений
12.12.1927
Родился американский инженер, один из изобретателей интегральной схемы (1959), один из основателей Fairchild Semiconductor (1957), основатель, совместно с Гордоном Муром, корпорации Intel (1968)
|