|
EN |
Поиск по сайту
Авторизация
Подписка на новости
|
Компания Keysight Technologies выпустила новую версию САПР для моделирования и измерения параметров полупроводниковых приборов27.06.2016 Компания Keysight Technologies объявила о выпуске новой версии лучшего в отрасли пакета ПО для моделирования и измерения параметров полупроводниковых приборов: Integrated Circuits Characterization and Analysis Program (IC-CAP) 2016, Model Builder Program (MBP) 2016 и Model Quality Assurance (MQA) 2016. Новые версии ПО предоставляют разработчикам, занятым измерением параметров и моделированием полупроводниковых приборов, дополнительные преимущества и повышают эффективность их работы.
САПР IC-CAP 2016
Основным преимуществом модели ADS DynaFET является её способность точно предсказывать динамические эффекты памяти, порождённые тепловыми эффектами и эффектами захвата носителей заряда, что, в свою очередь, даёт непревзойдённую точность прогнозирования усиления и КПД добавленной мощности (PAE) – двух ключевых параметров ВЧ усилителей мощности. Специальное измерительное ПО регистрирует данные в режиме большого сигнала с помощью анализатора нелинейных электрических цепей (NVNA) компании Keysight. Затем сигналы, представляющие динамические нагрузочные линии, измеренные при разных значениях ВЧ-мощности, смещения и выходного импеданса, передаются в модуль извлечения моделей в IC-CAP 2016. Здесь выполняется извлечение модели с помощью технологии искусственной нейронной сети, после чего полученная модель может непосредственно использоваться в САПР ADS.
Другой важной особенностью САПР IC-CAP 2016 является повышенная скорость измерений с инструментальными драйверами для приборов Keysight E5270, B1500A и B1505A – до трёх раз по сравнению с предыдущими версиям. Такая скорость позволяет быстрее собрать большие объёмы данных, на что обычно уходит много времени, так как измерения выполняются с высокой точностью. Кроме того, в IC-CAP 2016 были добавлены новые инструментальные драйверы для поддержки анализатора импеданса Keysight E4990 и анализатора электрических цепей E5061B.
Дополнительная информация о САПР IC-CAP 2016 приведена на странице www.keysight.com/find/eesof-iccap2016.01. Изображения высокого разрешения представлены по ссылке www.keysight.com/find/DeviceModeling2016_images.
ПО MBP и MQA 2016
«Мы продолжаем финансировать разработку платформ для моделирования полупроводниковых приборов, уделяя особое внимание эффективности и новым технологиям, таким как DynaFET и FDSOI, – сказал Роберто Тинти (Roberto Tinti), менеджер по средствам моделирования компании Keysight. – Мы стремимся к тому, чтобы инженеры тратили как можно меньше времени на создание высококачественных моделей. Кроме того, мы продолжаем сотрудничать с исследовательскими лабораториями Keysight и ключевыми партнёрами для разработки готовых решений моделирования передовых технологий на базе наших платформ».
Помимо всего прочего, в состав ПО MBP 2016 входит новый модуль статистической угловой настройки, который дополнительно повышает эффективность повседневного моделирования. Модуль содержит все необходимые компоненты для настройки или автоматической оптимизации, включая готовые цели и графики.
ПО MQA 2016 обеспечивает улучшенную поддержку расширенной библиотеки 16-нанометрового интерфейса моделирования TSMC (TMI) и смешанного синтаксиса SPICE. Последняя функция очень важна, поскольку с уменьшением технологических норм библиотеки моделей SPICE становятся всё сложнее и сложнее. Кроме того ПО MQA 2016 поддерживает 64-разрядные операционные системы, что предоставляет возможность загрузки данных и управления библиотеками моделей большого объёма.
Дополнительная информация о ПО MBP 2016 и MQA 2016 приведена на страницах www.keysight.com/find/eesof-mbp2016.01 и www.keysight.com/find/eesof-mqa2016.01, соответственно. Изображения высокого разрешения представлены по ссылке www.keysight.com/find/DeviceModeling2016_images.
О подразделении Keysight EEsof
О компании: Keysight Technologies Материалы по теме:
Новости КИПиС
Новости компаний
Статьи КИПиС
|
Читайте бесплатно
События из истории измерений
09.12.1883
Родился советский ученый, механик, специалист в области механики и гидродинамики
|