|
EN |
Поиск по сайту
Авторизация
Подписка на новости
|
Проблемы измерения параметров силовых полупроводниковых приборов — от лаборатории до производства
С недавних пор повсеместное стремление к повышению энергоэффективности заставляет производителей повышать качество силовых полупроводниковых приборов, таких как диоды, полевые транзисторы (ПТ), биполярные транзисторы с изолированным затвором (БТИЗ) и т. д. Новые технологии обещают улучшение характеристик — уменьшение потерь в открытом состоянии и меньшую утечку в закрытом состоянии, повышение скорости переключения и уменьшение коммутационных потерь. Однако чем лучше становятся характеристики этих п/п приборов, тем сложнее их измерять. В этой статье я сначала опишу типичный процесс разработки силовых п/п приборов, а затем мы обсудим некоторые проблемы, связанные с измерением их характеристик и необходимым для этого оборудованием.
Автор(ы): Ли Стауфер (Lee Stauffer) Номер журнала: КИПиС 2013 № 2 Читать в PDF: Читать Материалы по теме:
Новости КИПиС
Новости компаний
Статьи КИПиС
Энциклопедия измерений
При использовании материалов журнала «Контрольно-измерительные приборы и системы» ссылка на сайт www.kipis.ru обязательна. Для просмотра файлов PDF может понадобиться Adobe Reader. Получить Adobe Reader бесплатно можно здесь. |
Читайте бесплатно
События из истории измерений
12.12.1927
Родился американский инженер, один из изобретателей интегральной схемы (1959), один из основателей Fairchild Semiconductor (1957), основатель, совместно с Гордоном Муром, корпорации Intel (1968)
|