EN
Поиск по сайту
Новости AKTAKOM(574)
Новости Anritsu(121)
Новости Fluke(134)
Новости Keithley(78)
Новости Keysight Technologies(666)
Новости Metrel(24)
Новости National Instruments(265)
Новости Pendulum(20)
Новости Rigol(96)
Новости Rohde & Schwarz(558)
Новости Tektronix(225)
Новости Texas Instruments(23)
Новости Yokogawa(132)
Новости Росстандарта(154)
АКТАКОМ
Anritsu
FLUKE
Keithley Instruments
Keysight Technologies
METREL
NI
RIGOL
Rohde & Schwarz
Spectracom
Tektronix
Texas Instruments
Yokogawa
Росстандарт
Авторизация
Логин:
Пароль:
Забыли свой пароль?
Зарегистрироваться
Информация
АКТАКОМ - Измерительные приборы, виртуальные приборы, паяльное оборудование, промышленная мебель

Проблемы измерения параметров силовых полупроводниковых приборов — от лаборатории до производства

С недавних пор повсеместное стремление к повышению энергоэффективности заставляет производителей повышать качество силовых полупроводниковых приборов, таких как диоды, полевые транзисторы (ПТ), биполярные транзисторы с изолированным затвором (БТИЗ) и т. д. Новые технологии обещают улучшение характеристик — уменьшение потерь в открытом состоянии и меньшую утечку в закрытом состоянии, повышение скорости переключения и уменьшение коммутационных потерь. Однако чем лучше становятся характеристики этих п/п приборов, тем сложнее их измерять. В этой статье я сначала опишу типичный процесс разработки силовых п/п приборов, а затем мы обсудим некоторые проблемы, связанные с измерением их характеристик и необходимым для этого оборудованием.

Автор(ы): Ли Стауфер (Lee Stauffer)
Номер журнала: КИПиС 2013 № 2
Читать в PDF: Читать

Возврат к списку


Материалы по теме:


При использовании материалов журнала «Контрольно-измерительные приборы и системы» ссылка на сайт www.kipis.ru обязательна.

Для просмотра файлов PDF может понадобиться Adobe Reader. Получить Adobe Reader бесплатно можно здесь.

Читайте бесплатно
№ 4 Декабрь 2021
КИПиС 2021 № 4
Тема номера:
Современная измерительная техника
События из истории измерений
12.12.1927
Родился американский инженер, один из изобретателей интегральной схемы (1959), один из основателей Fairchild Semiconductor (1957), основатель, совместно с Гордоном Муром, корпорации Intel (1968)
Роберт Нортон Нойс
12.12.1843
День рождения
Марсель Депре
Мы используем файлы 'cookie', чтобы обеспечить максимальное удобство пользователям.