English
Поиск по сайту
Новости AKTAKOM(492)
Новости Anritsu(108)
Новости Fluke(134)
Новости Keithley(75)
Новости Keysight Technologies(571)
Новости Metrel(15)
Новости National Instruments(265)
Новости NIST(0)
Новости Pendulum(20)
Новости Rigol(72)
Новости Rohde & Schwarz(470)
Новости Tektronix(195)
Новости Texas Instruments(18)
Новости Yokogawa(87)
Новости Росстандарта(132)
АКТАКОМ
Anritsu
FLUKE
Keithley Instruments
Keysight Technologies
METREL
National Instruments
NIST
RIGOL
Rohde & Schwarz
Spectracom
Tektronix
Texas Instruments
Yokogawa
Росстандарт
Авторизация
Логин:
Пароль:
Забыли свой пароль?
Зарегистрироваться
Реклама на сайте

Fairchild Semiconductor: MOSFET-транзисторы PowerTrench® позволяют повысить эффективность и снизить электромагнитные излучения

Fairchild Semiconductor: MOSFET-транзисторы PowerTrench® позволяют повысить эффективность и снизить электромагнитные излучения

04.07.2009

Применение n-канальных MOSFET-транзисторов PT7 позволяет улучшить эффективность, уменьшить колебательность переходных процессов по нарастающему фронту в узле коммутации и, самое главное, добиться соответствия требованиям к энергоэффективности!

Мощные MOSFET-транзисторы выпускаются по оригинальной технологии PowerTrench, которая обеспечивает сочетание малых значений заряда затвора и сопротивления RDS(ON) и высокой частоты коммутации. Транзисторы также отличаются превосходным значением обратного восстановления встроенного диода и размещением в ультракомпактном корпусе Power56.

http://www.ebvnews.ru



Возврат к списку

Свежий номер
№ 3 Июнь 2019
КИПиС 2019 № 3
Тема номера:
Метрология
Подписаться на журнал
WEB-приложение для подписчиков журнала
События из истории измерений