English
Поиск по сайту
Новости AKTAKOM(487)
Новости Anritsu(108)
Новости Fluke(134)
Новости Keithley(75)
Новости Keysight Technologies(566)
Новости Metrel(15)
Новости National Instruments(265)
Новости NIST(0)
Новости Pendulum(20)
Новости Rigol(71)
Новости Rohde & Schwarz(465)
Новости Tektronix(195)
Новости Texas Instruments(18)
Новости Yokogawa(87)
Новости Росстандарта(131)
АКТАКОМ
Anritsu
FLUKE
Keithley Instruments
Keysight Technologies
METREL
National Instruments
NIST
RIGOL
Rohde & Schwarz
Spectracom
Tektronix
Texas Instruments
Yokogawa
Росстандарт
Авторизация
Логин:
Пароль:
Забыли свой пароль?
Зарегистрироваться
Реклама на сайте

Fairchild Semiconductor: FCP22N60N - первый представитель новой серии высоковольтных MOSFET‑транзисторов SupreMOS™

Fairchild Semiconductor: FCP22N60N - первый представитель новой серии высоковольтных MOSFET‑транзисторов SupreMOS™

09.09.2009

FCP22N60N обладает малыми RDS(ON) (165 мОм) и зарядом затвора (14.5 нКл), что ориентирует его на применение в источниках питания.

MOSFET-транзистор доступен в корпусе TO220 и изолированном корпусе TO220F. Максимальная скорость нарастания напряжения составляет 100 В/нс для MOSFET-транзистора и 20 В/нс для внутреннего диода. Ключевые области применения транзистора: каскады коррекции коэффициента мощности (PFC) и резонансные преобразователи.

www.ebv.com



Возврат к списку

Свежий номер
№ 3 Июнь 2019
КИПиС 2019 № 3
Тема номера:
Метрология
Подписаться на журнал
WEB-приложение для подписчиков журнала