English
Поиск по сайту
Новости AKTAKOM(477)
Новости Anritsu(104)
Новости Fluke(134)
Новости Keithley(74)
Новости Keysight Technologies(548)
Новости Metrel(14)
Новости National Instruments(259)
Новости NIST(0)
Новости Pendulum(20)
Новости Rigol(70)
Новости Rohde & Schwarz(441)
Новости Tektronix(193)
Новости Texas Instruments(18)
Новости Yokogawa(86)
Новости Росстандарта(122)
АКТАКОМ
Anritsu
FLUKE
Keithley Instruments
Keysight Technologies
METREL
National Instruments
NIST
RIGOL
Rohde & Schwarz
Spectracom
Tektronix
Texas Instruments
Yokogawa
Росстандарт
Авторизация
Логин:
Пароль:
Забыли свой пароль?
Зарегистрироваться
Реклама на сайте

Fairchild Semiconductor: FCP22N60N - первый представитель новой серии высоковольтных MOSFET‑транзисторов SupreMOS™

Fairchild Semiconductor: FCP22N60N - первый представитель новой серии высоковольтных MOSFET‑транзисторов SupreMOS™

09.09.2009

FCP22N60N обладает малыми RDS(ON) (165 мОм) и зарядом затвора (14.5 нКл), что ориентирует его на применение в источниках питания.

MOSFET-транзистор доступен в корпусе TO220 и изолированном корпусе TO220F. Максимальная скорость нарастания напряжения составляет 100 В/нс для MOSFET-транзистора и 20 В/нс для внутреннего диода. Ключевые области применения транзистора: каскады коррекции коэффициента мощности (PFC) и резонансные преобразователи.

www.ebv.com



Возврат к списку

Свежий номер
№ 6 Декабрь 2018
КИПиС 2018 № 6
Тема номера:
Современная измерительная техника
Подписаться на журнал
WEB-приложение для подписчиков журнала
События из истории измерений
13.12.1816
День рождения