English
Поиск по сайту
Новости AKTAKOM(431)
Новости Anritsu(96)
Новости Fluke(134)
Новости Keithley(71)
Новости Keysight Technologies(513)
Новости Metrel(6)
Новости National Instruments(248)
Новости NIST(0)
Новости Pendulum(20)
Новости Rigol(58)
Новости Rohde & Schwarz(390)
Новости Tektronix(182)
Новости Texas Instruments(17)
Новости Yokogawa(70)
Новости Росстандарта(95)
AKTAKOM
Anritsu
Fluke
Keithley Instruments
Keysight Technologies
METREL
National Instruments
NIST
RIGOL
Rohde & Schwarz
Spectracom
Tektronix
Texas Instruments
Yokogawa
Росстандарт
Авторизация
Логин:
Пароль:
Забыли свой пароль?
Зарегистрироваться
Реклама на сайте
АКТАКОМ – победитель конкурса "Best in Test"!

Vishay: SiS426 - 20-вольтовый N-канальный силовой MOSFET-транзистор TrenchFET 3-го поколения

Vishay: SiS426 - 20-вольтовый N-канальный силовой MOSFET-транзистор TrenchFET 3-го поколения

30.09.2009

Компания Vishay представила первый транзистор, который выполнен по технологии TurboFETTM и использует новую структуру стока со сбалансированным зарядом, позволяющая снизить заряд затвора на 45% и, как следствие, снизить потери коммутации и повысить частоту преобразования.

Транзистор SiS426DN доступен в корпусе PowerPAK® 1212-8 (3 x 3 мм) и обладает самым низким в промышленности произведением сопротивления открытого канала на заряд затвора среди транзисторов на аналогичное напряжение. Данное произведение является основным параметром для оценки качества MOSFET-транзисторов, применяющихся в DC/DC-преобразователях. У SiS426DN этот параметр равен 76.6 мОм х нКл при напряжении 4.5 В и 117.60 мОм х нКл при напряжении 10 В, при этом, типовое значение заряда затвора равно 13.2 нКл при 4.5 В и 28 нКл при 10 В.

По сравнению с ближайшими аналогами, SiS426DN обладает более низкими зарядом затвора (на 45% при 4.5 В и 36% при 10 В) и показателем качества (на 50%). Более низкое значение заряда затвора снижает потери коммутации на любых частотах и создает предпосылки для повышения частоты преобразования, что в свою очередь позволяет использовать более компактные пассивные компоненты в DC/DC-преобразователях.

www.ebv.com



Возврат к списку

Свежий номер
№ 5 Октябрь 2017
КИПиС 2017 № 5
Тема номера:
Современная измерительная техника
Подписаться на журнал
WEB-приложение для подписчиков журнала
События из истории измерений
22.11.1904
Родился французский физик