English
Поиск по сайту
Новости AKTAKOM(477)
Новости Anritsu(104)
Новости Fluke(134)
Новости Keithley(74)
Новости Keysight Technologies(547)
Новости Metrel(14)
Новости National Instruments(259)
Новости NIST(0)
Новости Pendulum(20)
Новости Rigol(70)
Новости Rohde & Schwarz(441)
Новости Tektronix(193)
Новости Texas Instruments(18)
Новости Yokogawa(86)
Новости Росстандарта(122)
АКТАКОМ
Anritsu
FLUKE
Keithley Instruments
Keysight Technologies
METREL
National Instruments
NIST
RIGOL
Rohde & Schwarz
Spectracom
Tektronix
Texas Instruments
Yokogawa
Росстандарт
Авторизация
Логин:
Пароль:
Забыли свой пароль?
Зарегистрироваться
Реклама на сайте
АКТАКОМ – победитель конкурса "Best in Test"!

Построена теория сверхпроводимости графена

Построена теория сверхпроводимости графена

02.04.2011

Уникальные свойства графена открывают множество перспектив, как практического применения, так и фундаментальных исследований на абсолютно новом уровне. Одно из возможных "амплуа" графена - это использование его в качестве сверхпроводника, а также в качестве основы сверхпроводящего транзистора. Заведующий лабораторией спектроскопии наноструктур Института спектроскопии РАН, профессор Юрий Лозовик комментирует свой доклад на одном из ФИАНовских семинаров.

Графен (он же, кстати говоря, представитель двумерных кристаллов, существование которых в течение долгого времени считалось невозможным) был впервые получен в 2004 году Андреем Геймом и Константином Новоселовым. После присуждения им в 2010 году Нобелевской премии об этом знают многие. Однако импульс, приведший к появлению графена, был запущен еще задолго до этого - в далеком 1947 году, когда в фирме Bell Уильямом Шокли, Джоном Бардиным и Уолтером Браттейном был изобретен транзистор.

"Выдающийся теоретик Бардин сообразил, что в случае контакта "металл-полупроводник" можно управлять проводимостью полупроводника, обогащая его электронами при помощи внешнего напряжения, которое прикладывается к металлу. Таким образом, основой действия транзистора является управление проводимостью базы - полупроводника. Использовать вместо полупроводника металл нельзя, у него слишком велика концентрация носителей, и изменения при приложении напряжения будут незначительные. Но можно использовать полуметалл. И именно эта мысль, по-видимому, лежала в основе импульса, который привел к перспективе использования графита в качестве базы вместо полупроводника", - рассказывает Юрий Лозовик.

До появления транзисторов вся электроника базировалась на вакуумных лампах, не поддающихся масштабируемости, то есть постоянно уменьшать их размер нельзя, так как при этом изменяются и их свойства. Открытие транзистора изменило ситуацию кардинальным образом. В настоящее время закону Мура, согласно которому количество транзисторов в микросхемах каждые 1,5-2 года удваивается, уже больше 40 лет. В этом году характерный размер транзисторов составляет 32 нм. Предполагается, что в 2014 году он составит 22 нм, после чего ожидается очередной скачок - до 12 нм. Есть ли жизнь за пределами 12 нм с использованием широко используемого сейчас кремния - большой вопрос. Дело в том, что физические свойства полупроводника при значительном уменьшении размера могут изменяться, так как период решетки микрокластеров несколько иной, чем у объемного полупроводника. Также, если кластер очень маленький, то в нем может не оказаться примесей, а именно они определяют свойство полупроводника (какой он - n- или p- типа). Большое значение имеет и то, где находится примесь - в центре кластера или на его границе вблизи управляющего электрода. Интересен также вопрос - осуществим ли процесс масштабируемой нанолитографии? Потому как в соответствии с критерием Рэлея при работе на длине волны порядка 40 нм, сделать с помощью обычной фотолитографии 12-нанометровую точку невозможно. И это только часть принципиальных трудностей.

читать полностью

По материалам АНИ ФИАН-информ, www.fian-inform.ru



Возврат к списку

Свежий номер
№ 6 Декабрь 2018
КИПиС 2018 № 6
Тема номера:
Современная измерительная техника
Подписаться на журнал
WEB-приложение для подписчиков журнала
События из истории измерений
11.12.1882
День рождения