English
Поиск по сайту
Новости AKTAKOM(535)
Новости Anritsu(115)
Новости Fluke(134)
Новости Keithley(78)
Новости Keysight Technologies(618)
Новости Metrel(22)
Новости National Instruments(265)
Новости NIST(0)
Новости Pendulum(20)
Новости Rigol(85)
Новости Rohde & Schwarz(521)
Новости Tektronix(209)
Новости Texas Instruments(21)
Новости Yokogawa(105)
Новости Росстандарта(139)
АКТАКОМ
Anritsu
FLUKE
Keithley Instruments
Keysight Technologies
METREL
NI
NIST
RIGOL
Rohde & Schwarz
Spectracom
Tektronix
Texas Instruments
Yokogawa
Росстандарт
Авторизация
Логин:
Пароль:
Забыли свой пароль?
Зарегистрироваться
Реклама на сайте

Определение типа проводимости полупроводников

Об Энциклопедии измерений
Поиск:  

Как известно, полупроводники могут быть двух типов:
  • с дырочной проводимостью или p-типа;
  • с электронной проводимостью или n-типа.

     В связи с этим часто возникает необходимость экспериментального определения типа полупроводника. Она может решаться параллельно с определением удельных сопротивлений с использованием четырехточечной измерительной схемы. При этом известны два основных способа определения типа проводимости:

  • метод выпрямления (Rectification Method)
  • метод термо-ЭДС (Thermoelectric Voltage Method).

Для реализации первого метода используется измерительная схема, показанная на рис. 1

Рис.1 Реализация метода выпрямления

     При полупроводнике p-типа у осциллограммы контрольной точки (рис. 2)отчетливо видна несимметричность осциллограммы – положительная полуволна явно имеет большую амплитуду, чем отрицательное и среднее напряжение в контрольной точке положительно. При полупроводнике n-типа преобладает отрицательная полуволна и напряжение в контрольной точке отрицательно.

Рис. 2 Осциллограммы контрольного сигнала

     Второй метод реализуется измерительной схемой, показанной на рис. 3 Определение типа проводимости аналогично описанному и выполняется по показаниям вольтметра. Этот метод предпочтителен при испытании низкоомных полупроводников, когда метод выпрямления работает плохо из-за низкого уровня напряжения в контрольной точке.

Рис. 3 Реализация метода термо-ЭДС

Источник

А. А. Афонский, В. П. Дьяконов, Электронные измерения в нанотехнологиях и в микроэлектронике

Под ред. проф. В. П. Дьяконова, Москва, ДМК пресс, 2011


Возврат к списку


Материалы по теме:

Свежий номер
№ 4 Август 2020
КИПиС 2020 № 4
Тема номера:
Современная измерительная техника
Подписаться на журнал
WEB-приложение для подписчиков журнала
События из истории измерений
Конвертер единиц измерения